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沙漠是怎么形成的？哪来的那么多沙子？
07-24 14:49
茫茫大漠，对大多数人来讲就如同蒙面的阿拉伯女郎，神秘、充满诱惑而不可捉摸。面对沙漠，人们既会感叹其壮美，但对其吞噬人类生命所需也充满着敬畏。沙漠最初是怎样形成的？沙漠中的沙子又是从何而来？有人认为，风是沙漠的制造者。风吹跑了地面的泥沙，使大地裸露出斑驳的岩石外壳，或者仅仅剩下些散碎的砾石，成为荒凉的戈壁。那些被吹跑的沙粒在遇到阻拦或风力减弱时，掩盖在地面上，形成许多相连的沙丘，望过去好似波浪起伏的大海。这些沙丘，大小高低不一，一般有20～30米高。多数沙丘，平面上呈月牙形，而且具有一致的排列方向，形成新月形沙丘。还有些沙丘，像垄冈的形状，平行排列，这都是风的杰作。戈壁是制造沙子的根源，供应沙漠扩张所需的最基本物质——沙。通常戈壁也包括在沙漠之内，由于那里极度的干燥和昼夜巨大的温差，使岩石风化成砾石，砾石又风化成大大小小的沙料，风又将沙吹跑，沙漠因而得以不断扩张、延伸。当然，干旱也是沙漠形成的一个因素。目前世界上的大部分沙漠主要分布于北非、西南亚、中亚和澳大利亚，这是因为地球自转使得这一带长期笼罩在大气环流的下沉气流之中，气流下沉破坏了成雨的过程，形成了干旱的气候，之后便形成了浩瀚的沙漠。但是凡是都会有例外。比如塔尔沙漠，当地的气候便是湿润多雨，特别是当西南季风来临时，空气中水汽的含量几乎能与热带雨林地区相比。并不是所有沙漠都是天然形成的。很多地方原本并不是沙漠，而是由于人为因素造成土地逐渐沙化，最后变成了沙漠。有学者指出，人类是破坏生态环境、制造沙漠的真正凶手。撒哈拉沙漠的大部分地区在远古时代曾是一片植物茂盛的肥沃土地，绿叶葱翠，百花艳丽，禽兽成群，万木竞荣……1957年考古学家在撒哈拉沙漠找到的8 000年前的岩壁画，以及后来找到的阔叶树种和化石，都为其提供了证据。后来，由于人类破坏了原有生态，才“制造”了沙漠，干旱的气候不是元凶，它只是提供了形成沙漠的适宜条件。但也有人不完全同意上述观点，认为撒哈拉沙漠的形成最初是很缓慢的，直至公元前5000年，不知从什么地方飞来铺天盖地的黄沙，才使此地变成了辽阔无边的沙漠瀚海。
沙漠是怎么形成的？沙漠形成的两个主要原因，就是干旱和风。再加上人们滥伐森林树木，破坏草原，土地表面失去了植物的覆盖，沙漠便因而形成。沙漠的形成，除了干旱气候条件与滥伐森林树木，破坏草原外，还要有丰富的沙漠物质来源，风是制造沙漠的动力，沙是形成沙漠的物质基础， 而干旱则是出现沙漠的必要条件。风吹跑了地面的泥沙， 使大地裸露出岩石的外壳，或者仅仅剩下些砾石，成为荒凉的戈壁。那些被吹跑的砂粒在风力减弱或遇到障碍时堆成许多沙丘，掩盖在地面上，形成了沙漠。地球上南北纬15°～35°之间的信风带，气压较高，天气稳定，雨量较少，空气干燥，是容易形成沙漠的场所。沙漠为什么那么多沙子？这一问题至少有四种解释。第一：地球上的很多沙漠处在高大山脉的背后或者由山脉环绕的盆地之中。前者如美国落基山脉背后的内华达州沙漠，后者如中国的塔克拉玛干沙漠和位于准噶尔盆地的古尔班通古特沙漠。这些沙漠沙子的来源有一个共同的特点——与附近或周围的高山密切相关。这些高大山脉的海拔均在3000米以上，昼夜温差大，受“热胀冷缩”的影响，山上的岩石极易破碎，产生巨量的岩石碎屑。所以，对上述沙漠而言，来自附近高山的岩石风化破碎，是产生海量沙子的主要原因。这其中最典型的代表就是被称为“死亡之海”的塔克拉玛干沙漠。第二：有些沙漠周围并无高山，但一样可以形成沙漠，例如中国内蒙古境内的科尔沁沙地。这些地区的沙子来源与地质时期的河流作用密切相关。如果一个地区处在地质时期形成的大型冲积平原上，而气候又恰好处在干旱区的话，那么在长期的风力作用下，组成冲积平原的物质也会发生分选，使越来越多的沙子汇聚地表，形成沙漠。第三：我们知道，地质时期本身就存在一些主要由沙子组成的岩石，比如砂岩。砂岩的物理风化极易产生细粒的沙子。在中国的鄂尔多斯高原，就存在大范围的白垩纪的砂丘岩。有一种观点认为，鄂尔多斯高原的毛乌素沙漠的沙子是由更早的白垩纪砂丘岩风化而来。其次，地球表面的花岗岩也很容易风化产生沙子。第四：地球上在北回归线和南回归线附近的大陆西岸，也分布有沙漠，形成沿海沙漠，如南美洲的阿塔卡马沙漠以及非洲的纳米比沙漠。上述地区的沙漠形成受陆地、洋流和天气系统的共同影响。当地气候极为干旱，沿海沙漠的沙子来源与海浪对基岩海岸的长期冲刷以及当地基岩的物理风化有关。总之，不管地处何地、何时形成的沙漠，归根结底：沙子的最终来源与地球上岩石的破碎产生的碎屑物质有关。
沙漠地区，远古的时候是湖泊。沙子就跟河沙海沙一样的。注意到没有，沙漠周边或侧面，肯定有高山存在，远古的时候，冰川末期，洪水横流。再以后，山上的水资源也是非常充沛的。水流到低洼平缓地带，沙粒沉淀积累，形成很厚的砂层。气候变暖之后，水源枯竭，沙质的水底暴露出来，就是沙漠了。当然，干枯的湖泊不一定是沙漠，也有戈壁，如罗布泊。
沙漠是天生的！是天上落下来的，真的！是慧星的慧尾带来的。能看清楚这些砂子在哪吗？在一个汽泡里！宇宙的“能量变成物质”，能量变成了砂子。这个汽泡（微流星）就在玻璃质透明陨石中。一图变了一半，二图全变成了砂子，照片很简单，过程很复杂，原理更复杂，有核聚变参予其中。在宇宙初期，司空见惯，而且这些砂子可能是地球的爷爷，有它们的时候未必有地球呢！爆炸了，这些细砂飞向了太空……有一天慧星来了，慧星总是定期不定期的经常出现。这些细沙与石油与砂砾与水（冰）凝聚到了一起，成了慧星的一部分。巡查太阳系，一不小心掉在地球上，或50000公里长的尾巴刮蹭在地球上。上图是一块慧尾带来的石油陨石的中心部分，十分松散，水（冰已溶化空隙大）。慧尾的冲击形成了沙漠或平原，所以沙漠平原底下都有石油，砸向近海，成了浅海油田，砸出湖泊，湖中也有砂岛。这是洗去石油的砂和石子，它们无论个头大小都来自外太空。自身都有来自外太空形成的印迹。（可参考我问答其他答案）岩石风化破碎形成的砂与土，与它们根本不是一回事，放显微镜下一粒粒我都能分开。本文原创，照片本人拍照。想知道宇宙初期能量变砂子有多热闹吗？请看玻璃质透明陨石和陨石内部局部放大照片。下图拍自上图内部。有两个汽泡（陨石学叫微流星）正在变砂子。
对茫茫无际的沙漠，是怎样形成的，沙漠大部份都在内陆平原，离海较远，最主要原因雨量稀少，有些地方一年四季不下雨，即使下了雨，雨量也不会大，但蒸发量很大，土地干燥，这样干旱的自然环境，植物没有水份，无法扎根生存。没有植物复盖土壤，土地会沙化，这样经过千百万年风吹日晒，把土中轻漂的泥吹走了，只剩下沙子。吹来吹去沙漠还在不断扩大，沙漠基本就是这样形成的。
07-24 21:35
沙漠就是小石粒，石头的成分是什么？我们知道，土下面一米左右就是沙，沙经过高压才能成石块，因此风是沙漠的制造者，它使土壤干燥，它使土壤搬家。水也是沙漠形成的因素，因为水使泥土沉淀，使沙纯净化。有人认为石头风化后也成沙，石头风化是沙漠的来源。我认为这是本末倒置，高山的石头最多也受大风，为什么高山形成不了沙漠。总之沙漠是没有经过高温高压的小石头集合体。
我认为沙漠是本身就有的，例如我老家华北平原，大部分是黄土，还有红土，竟然也有沙土，沙土就像一条河一样蔓延延伸，搞不懂为什么，很多人家的地，一边是黄土，一边是沙土，你们说是为什么
地球上的沙子主要是因为风、水和时间造成的。陆地上风会吹动小石子互相碰撞破裂，造成它们越来越碎，越来越细小。河流和海洋也是一样的原理，河水的流动，洋流，涨落潮和海浪的作用，使石头互相碰撞，变得越来越细小，形成沙粒。这些沙粒会随着万亿年的积累，就越来越多了。
沙漠的形成主要由风和干旱形成，分源区沙漠和非源区沙漠，源区沙漠分选不好，颗粒粗壮、棱角分明，受季节性降水冲击移动较大，一般周边多有大山。非源区沙漠为迁移性沙漠，受风、水等搬运迁移，分选性好，颗粒圆润光滑、且粒度均匀，成分多为石英、长石，水土流失形成沙漠在黄土深厚的黄土高源难以成形，考虑与剥蚀基岩有关
07-24 23:44
虽然地球表面大海占的比例多，但由于地球本身是一个圆形，所以自然降雨仍然还有不能到达的地方，天长日久炽热的阳光加上空气的流通风化了太多的地球表面岩石，曰积月累形成了天然沙膜，降水少是形成沙膜最主要因素。
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一般来说，我们对IC芯片的了解仅限于它概念，但是对于已经应用到各式各样的数码产品中IC芯片是怎么来的？大家可能只知道制作IC芯片的硅来源于沙子，但是为什么沙子做的CPU却卖那么贵？下面将会以常见的Intel、AMD CPU作为例子，讲述沙子到CPU简要的生产工序流程，希望大家对CPU制作的过程有一个大体认识，解开CPU凭什么卖那么贵之谜！硅圆片的制作
1.硅的重要来源：沙子作为半导体材料，使用得最多的就是硅元素，其在地球表面的元素中储量仅次于氧，含硅量在27.72%，其主要表现形式就是沙子（主要成分为二氧化硅），沙子里面就含有相当量的硅。因此硅作为IC制作的原材料最合适不过，想想看地球上有几个浩瀚无垠的沙漠，来源既便宜又方便。
2.硅熔炼、提纯不过实际在IC产业中使用的硅纯度要求必须高达99.%。目前主要通过将二氧化硅与焦煤在℃中，将二氧化硅还原成纯度为98%的冶金级单质硅，紧接着使用氯化氢提纯出99.99%的多晶硅。虽然此时的硅纯度已经很高，但是其内部混乱的晶体结构并不适合半导体的制作，还需要经过进一步提纯、形成固定一致形态的单晶硅。[img pic_type=1 width=560 height=315]http://img.expreview.com/review/2016/11/chip/WIMW@GSD0EB%25ZB]XEOW$$QW.jpg[/img]
3.制备单晶硅锭单晶的意思是指原子在三维空间中呈现规则有序的排列结构，而单晶硅拥有“金刚石结构”，每个晶胞含有8个原子，其晶体结构十分稳定。单晶硅的“金刚石”结构通常单晶硅锭都是采用直拉法制备，在仍是液体状态的硅中加入一个籽晶，提供晶体生长的中心，通过适当的温度控制，就开始慢慢将晶体向上提升并且逐渐增大拉速，上升同时以一定速度绕提升轴旋转，以便将硅锭控制在所需直径内。结束时，只要提升单晶硅炉温度，硅锭就会自动形成一个锥形尾部，制备就完成了，一次性产出的IC芯片更多。制备好的单晶硅锭直径约在300mm左右，重约100kg。而目前全球范围内都在生产直径12寸的硅圆片，硅圆片尺寸越大，效益越高。
4.硅锭切片将制备好的单晶硅锭一头一尾切削掉，并且对其直径修整至目标直径，同时使用金刚石锯把硅锭切割成一片片厚薄均匀的晶圆（1mm）。有时候为了定出硅圆片的晶体学取向，并适应IC制作过程中的装卸需要，会在硅锭边缘切割出“取向平面”或“缺口”标记。
要说便宜的话，碳也很便宜。坐等石墨烯U
5.研磨硅圆片切割后的晶圆其表面依然是不光滑的，需要经过仔细的研磨，减少切割时造成的表面凹凸不平，期间会用到特殊的化学液体清洗晶圆表面，最后进行抛光研磨处理，还可以在进行热处理，在硅圆片表面成为“无缺陷层”。一块块亮晶晶的硅圆片就这样被制作出来，装入特制固定盒中密封包装。制作完成的硅圆片通常半导体IC厂商是不会自行生产这种晶圆，通常都是直接从硅圆片厂中直接采购回来进行后续生产。
7.紫外线曝光就单项技术工艺来说，光刻工艺环节是最为复杂的，成本最为高昂的。因为光刻模板、透镜、光源共同决定了“印”在光刻胶上晶体管的尺寸大小。将涂好光刻胶的晶圆放入步进重复曝光机的曝光装置中进行掩模图形的“复制”。掩模中有预先设计好的电路图案，紫外线透过掩模经过特制透镜折射后，在光刻胶层上形成掩模中的电路图案。一般来说在晶圆上得到的电路图案是掩模上的图案1/10、1/5、1/4，因此步进重复曝光机也称为“缩小投影曝光装置”。 一般来说，决定步进重复曝光机性能有两大要素：一个是光的波长，另一个是透镜的数值孔径。如果想要缩小晶圆上的晶体管尺寸，就需要寻找能合理使用的波长更短的光（EUV，极紫外线）和数值孔径更大的透镜(受透镜材质影响，有极限值）。目前最先进的ASML公司 TWINSCAN NXE:3300B
8.溶解部分光刻胶对曝光后的晶圆进行显影处理。以正光刻胶为例，喷射强碱性显影液后，经紫外光照射的光刻胶会发生化学反应，在碱溶液作用下发生化学反应，溶解于显影液中，而未被照射到的光刻胶图形则会完整保留。显影完毕后，要对晶圆表面的进行冲洗，送入烘箱进行热处理，蒸发水分以及固化光刻胶。
9.蚀刻将晶圆浸入内含蚀刻药剂的特制刻蚀槽内，可以溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不需要蚀刻的部分。期间施加超声振动，加速去除晶圆表面附着的杂质，防止刻蚀产物在晶圆表面停留造成刻蚀不均匀。
有人合作弄CPU嘛，沙子我已经准备好了~　　　--情难消受美人恩 白雪化蝶舞红尘--
10.清除光刻胶通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，去除所有光刻胶。此时就可以完成第一层设计好的电路图案。
11.重复第6-8步由于现在的晶体管已经3D FinFET设计，不可能一次性就能制作出所需的图形，需要重复第6-8步进行处理，中间还会有各种成膜工艺（绝缘膜、金属膜）参与到其中，以获得最终的3D晶体管。
火钳刘明，可以申请加精啊
12.离子注入在特定的区域，有意识地导入特定杂质的过程称为“杂质扩散”。通过杂质扩散可以控制导电类型（P结、N结）之外，还可以用来控制杂质浓度以及分布。现在一般采用离子注入法进行杂质扩散，在离子注入机中，将需要掺杂的导电性杂质导入电弧室，通过放电使其离子化，经过电场加速后，将数十到数千keV能量的离子束由晶圆表面注入。离子注入完毕后的晶圆还需要经过热处理，一方面利用热扩散原理进一步将杂质“压入”硅中，另一方面恢复晶格完整性，活化杂质电气特性。 离子注入法具有加工温度低，可均匀、大面积注入杂质，易于控制等优点，因此成为超大规模集成电路中不可缺少的工艺。
点亮12星座印记,
10.再次清除光刻胶完成离子注入后，可以清除掉选择性掺杂残留下来的光刻胶掩模。此时，单晶硅内部一小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，从而产生可自由电子或空穴。 左：硅原子结构；中：掺杂砷，多出自由电子；右：掺杂硼，形成电子空穴
11.绝缘层处理此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导体电极。
12.沉淀铜层利用溅射沉积法，在晶圆整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。最后在整个晶圆表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。
13.构建晶体管之间连接电路经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成。剩下的就是如何将这些晶体管连接起来的问题了。同样是先形成一层铜层，然后光刻掩模、蚀刻开孔等精细操作，再沉积下一层铜层。。。。。。这样的工序反复进行多次，这要视乎芯片的晶体管规模、复制程度而定。最终形成极其复杂的多层连接电路网络。由于现在IC包含各种精细化的元件以及庞大的互联电路，结构非常复杂，实际电路层数已经高达30层，表面各种凹凸不平越来越多，高低差异很大，因此开发出CMP化学机械抛光技术。每完成一层电路就进行CMP磨平。另外为了顺利完成多层Cu立体化布线，开发出大马士革法新的布线方式，镀上阻挡金属层后，整体溅镀Cu膜，再利用CMP将布线之外的Cu和阻挡金属层去除干净，形成所需布线。大马士革法多层布线芯片电路到此已经基本完成，其中经历几百道不同工艺加工，而且全部都是基于精细化操作，任何一个地方出错都会导致整片晶圆报废，在100多平方毫米的晶圆上制造出数十亿个晶体管，是人类有文明以来的所有智慧的结晶。
后工程——从划片到成品销售14. 晶圆级测试前工程与后工程之间，夹着一个Good-Chip/Wafer检测工程，简称G/W检测。目的在于检测每一块晶圆上制造的一个个芯片是否合格。通常会使用探针与IC的电极焊盘接触进行检测，传输预先编订的输入信号，检测IC输出端的信号是否正常，以此确认芯片是否合格。由于目前IC制造广泛采用冗余度设计，即便是“不合格”芯片，也可以采用冗余单元置换成合格品，只需要使用激光切断预先设计好的熔断器即可。当然，芯片有着无法挽回的严重问题，将会被标记上丢弃标签。
15.晶圆切片、外观检查 IC内核在晶圆上制作完成并通过检测后后，就进入了划片阶段。划片使用的划刀是粘附有金刚石颗粒的极薄的圆片刀，其厚度仅为人类头发的1/3。将晶圆上的每一个IC芯片切划下来，形成一个内核Die。裂片完成后还会对芯片进行外观检查，一旦有破损和伤痕就会抛弃，前期G/W检查时发现的瑕疵品也将一并去除。未裂片的一个个CPU内核
16.装片芯片进行检测完成后只能算是一个半成品，因为不能被消费者直接使用。还需要经过装片作业，将内核装配固定到基片电路上。装片作业全程由于计算机控制的自动固晶机进行精细化操作。
就跟苹果手机一样，成本并不高，技术才是最值钱的
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中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心和控制核心，它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据，这也是为数不多不能山寨的物品。当然，CPU的制造过程代表了当今世界科技发展的最高水平。
硅是地壳内第二丰富的元素，而沙子中的硅元素只以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。接下来说一下制造过程。
硅熔炼成硅锭：硅净化熔炼得到大晶体，然后经过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片（晶圆），晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。
光刻胶：晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，使得光刻胶铺既薄又平。
光刻胶层随后透过掩模被曝光在紫外线之下变得可溶，掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。
一块晶圆上可以切割出数百个处理器，晶体管相当于开关，控制着电流的方向。
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。然后光刻，并洗掉曝光的部分。剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
离子注入：真空系统中，用经过加速，并掺杂原子的离子照射固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，改变这些区域的硅的导电性。
清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）已被注入了不同的原子。
晶体管就绪：晶体管的制造基本完成，然后在绝缘层(红色部分)上蚀刻出三个填充上铜孔洞。
电镀：在晶圆上电解硫酸铜，铜离子在阴极得电子生成铜然后在晶体管上形成一层薄薄的铜层。
抛光：磨光晶圆表面，将多余的铜抛光掉。
根据不同处理器所需要的相关功能，在不同晶体管之间形成复合互连金属层。
晶圆测试：使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
晶圆切片：将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核。
单个内核：从晶圆上切割下来的单个内核，图为Core i7的核心。
封装：衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起。衬底相当于一个底座，为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片就是负责内核散热。
最后定级：鉴别出每一颗处理器的关键特性，并决定处理器的等级。
进入市场：包装好后就可以进入市场了。
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