请看下这是什麼电容美是用什么矿石提炼出来的，看上有点透亮的感觉

点击联系发帖人 时间：2014-12-10 05:53

什矿石

电路如图所示，功功能是利用RC电路的放电时间间接测电电压Vcc。
1. 平时MCU A脚输出高电平，电容C1充电，因时间够长，会充电到接近Vcc的电压。因三级管T1导通，此时MCU B脚为低电平。
2. 需要测量Vcc时，MCU A脚输出代电平，同时启动计时器。此时电容C1通过电阻R1和三级管T1的发射结放电。当放电至0.5V左右时，三级管T1截止，MCU B脚变为高电平。
3. MCU在检测到B脚为高电平时停止计时器。因要测量的电压Vcc只有几个固定的值，所以根据计时器的值查表即可确定电压Vcc。

现在遇到的问题是：在电压Vcc不变的情况下，每次得到的定时器的值都不一样，而且差别极大。高手帮分析一下原因，以及如何解决。

画蛇添足嘛，MCU自己就可以完成定时的任务，何必劳烦外部多余的阻容电路？

请问你仔细看我的描述了吗，非常怀疑你是专业灌水的

看看是不是温度影响。。。

每次测得的结果差异极大。温度的影响不会有这么大。

可能我描述得不够清楚，电路是用来测量电压的。MCU本身不带AD，要测量的电压Vcc是MCU本身的供电电压。因为是电池供电的，所以相对来说变化十分缓慢。基本原理就是利用RC电路的放时时间间接测量Vcc。学过电路基础的都知道，RC电路的放电时间与R、C的值及初始放电电压有关，现在R、C为相对固定值，进而可求得电压Vcc。

你的想法过于理想了，连参数也不写，不要用数电的思维来考虑模拟的问题，三极管的导通和截止不是逻辑上的一 ...

1. 也许我的想法过于理想，但不妨分析一下。我知道三级管的导通和截止的确不是简单的零和一那么简单，有一个传输特性曲线，不同的环境不同的器件可能都会有所差别，但对于一个确定的电路、确定的参数、确定的环境，所得的结果应该是确定的。之所以没写电路参数，是因为我只想让大家帮我定性的分析问题，参数写出来意义不大。我的想法和思路有什么问题请您明确指出。
2. 说那哥们灌水，是因为他没仔细看问题就回复，所问非所答。
3. 如果有得罪之处还请见谅。

看到楼上说确定的工作状态我就不想说什么了，第一没有发射极负反馈稳定工作点、第二PN结不恒温，第三基极电 ...

谢谢您的回复。确定如您所说，没有采取那些稳定措施，因为这只是在特定环境下做前期验证。MCU的供电电压和待测电压Vcc（实际是同一电压）是经LDO稳压出来的，试验所在的环境是有空调相对恒温的（而且是在某一时间段同连续测量若干次，所以温度相对是恒定的），MCU A、B两脚的电压也是相对稳定的（量过）。我也承认这些因素（也包括暂时还没想到的其它因素）会对测量结果造成影响，但应该也是有限的吧。
我没想到的或说得不对的还请指教。

问题搞定了，谢谢大家的指点和批评。回头整理一下把电路和参数贴出来。谢谢了。

如果MCU是标准的三态I/O口，硬件电路可以简化成RC串联，R上端接Vcc，C下端接地，RC连接点接在I/O口上。程序 ...

你说的电路确实可以，但有一个小小的限制：不能用来测量MCU的供电电压Vcc，因为MCU IO口的阈值是随电供电电压Vcc变化的。
我做这个电路主要是用来测量MCU的供电电压。因为MCU是电池供电的，希望在不同的电压下有不同的表现。精度要求不高，10%~20%的误差也能接受。因为产品的利润很薄，用不起带AD的MCU。所以出此下策。
我把图中的电路稍微做了一下改动，能基本正常工作。现在做温度稳定性实验，用吹风机吹的时候测量结果有一些变化，在想办法提高电路的温度稳定性。还请老兄多多指教。

看着真是着急，就算我灌一会儿水吧。
１．你这电路确实多余，整个外部元件只需要一个电容器就够了。

这次绝对没灌水，受教了

看着真是着急，就算我灌一会儿水吧。
１．你这电路确实多余，整个外部元件只需要一个电容器就够了。

多谢。我好好查查资料。

做产品您来错地方了，去电子发烧友网啊！
这里偏非盈利的。。。 ...

也不完全是为做产品，确切的说是从做产品的角度思考问题。
本人从小就喜欢电子，但那时候环境和条件都太有限了。后来上学学的是计算机，再后来一直做软件。但业余时间还是喜欢搞一点电子方面的东西。搞的过程中有一个体会：别人的某个电路，表面看起来无法完成某个功能，但看了人家的深入分析确实可以，让自己觉得技术上还不到位。这需要深入的理论但光有理论又不够。
所以呢想从做产品的角度出发，抓住某一点深挖一下，提升一下自己。

看着真是着急，就算我灌一会儿水吧。
１．你这电路确实多余，整个外部元件只需要一个电容器就够了。

看了你的回复大受启发，花了一天时间反复看了一下教科书里关于MOS管和CMOS部分的内容，没有找到关于CMOS饱和电流有恒流特性的介绍。
请问非51的I/O饱和电流也有恒流特性吗？或者说什么样的CMOS门的饱和电流有恒流特性呢？相应的理论基础又是什么？

请仔细参考场效应晶体管的基础书籍，一天时间是远远不够的。
任何晶体管的工作范围都包括饱和区与线性 ...

谢谢您这么早起来就回复，有些东西我还是不太明白。
互补的两个MOS管一个导通一个截止，导通的MOS管在负载轻时应该是工作在可变最阻区、在负载重时就是工作在恒流区了。工作在恒流区时漏极电流与栅极电压间的关系是：Id = Ido(Ugs/Ugs(th)-1)平方，可见Id是受Ugs控制的电流源，Ugs不同Id就不同。而咱们讨论的是MCU内部IO的门电路，确切的说应该是做为输出的门。这样一来这个门的输入电压就来自MCU内部，此时通导的MOS的Ugs应该是是（接近）电源电压Vcc。这样说来当电源电压不同时，Id也是不同的。即Id似于与Vcc的平方成正比（当Vcc远大于Ugs(th)时）。
退一步讲，当导通的MOS工作在可变电阻区时，从MOS管的输出特性曲线看，Ugs越大，输出区线越陡峭，说明Ugs越大输出电阻越小。
综上所述，当负载重时，门的输出饱和电流近似恒定这个特性是有的，但还是与Vcc（Ugs）有关啊。
说的不对之处还请指教。

你用的不是数字电路吗？三态门的开关操作不是0或者1吗？控制信号会在线性区变化吗？

对啊，是数字电路。正因为是数字电路，所以逻辑0和1对应电压Gnd和Vcc。问题是MCU的供电电压Vcc会变化，我的最初动机就是设计一个电路测这个Vcc，我前边说过吧。

数字电路中的晶体管开启电压很低，大约在0.7~1.2V之间，超过这个范围，无论多大电压都对漏极电流影响很小 ...

从Id与Ugs关系的公式看：Id = Ido(Ugs/Ugs(th)-1)平方，MOS的开启电压Ugs(th)越低，Id受Ugs影响越大，怎么会“超过这个范围，无论多大电压都对漏极电流影响很小”。难道MCU中用的MOS管和教科书里说的MOS管有着不同的电特性。

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现在的正规产品基本是蓖麻油。或比变压器油更好的电容器油。文化大革命期间的电力电容有使用多氯联苯—（ ...

约有2-3毫升油料，基本上不燃烧，当然几十秒时间后也会燃起来但不是烈火，没刺鼻气味，类似于一般汽修厂的机油味，二恶英是制癌的，因为锡箔纸塑料膜卷得特紧密，就外围的一圈锡箔纸和塑料膜有油，向内打开来没油渗入进去，不知是否能用它作绝缘?有点担心

这电容击穿的位置是在穿越中心孔的这黄线上，而不是锡箔纸与塑料膜之间，我猜测，由于发热老化，油料干枯变稠，整卷锡箔纸没能全浸泡在油料中，经过中心孔作引脚线的这段电线烧焦了，电容击穿损坏了

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这个应该算得上超级电容了吧。要是是低压的话都可以做汽车启动电容了。

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