重大突破！ 长江存储3D NAND芯片研發成功！
　　据报道近期紫光集团旗下长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断！
　　中国近几年不断加大对半导体产业的投资尤其是在存储器领域芯片制造上的投入。由于存储器技术研发难度高专利又集中在欧美大厂手上，业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度但近期长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。
　　长江存储昰专注于3D NAND技术的代表队更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。业内半导体人士透露长江存储11月将32层3D NAND芯片导入SSD内，进行终端产品测试成功代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测潒征研发获得重大突破。
　　虽然最关键的研发一环已有小成但后期量产的良率也是成败的关键，未来要进入量产势必要达到一定的良率，确保每片3D NAND的可用晶圆数量成本结构才会具有市场竞争力。
　　在产能规划方面业者透露，长江存储已预定5000片产能的机台设备預计2018年第2季投入试产，进度快慢要看良率而定一旦长江存储3D NAND大量投片产出，可望打破全球3D NAND门票都掌握在国外公司的局面
　　长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年，过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯其透过飞索（Spansion）技术授权，生产NOR Flash和SLC型NAND长江存储于2016年7月成立之后，并购武漢新芯100%股权成为大陆存储器研发及生产中心。
　　根据长江存储先前揭露的计划32层3D NAND主要是技术打底的动作，大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术且全面大量投产，将有机会与三星、东芝、SK海仂士等拉近差距同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

　　内存马皮的太特么贵了价格都翻倍了，固态硬盘也太特么贵了希望 能用到国产的东东。

• 如果中國用6层的大量占领市场，那高端的那一点点量暂时不着急了很多行业不都这样吗？

• 其实研究这个最主要的功劳还不是大陆科研人员紫光的技术授权是来自AMD控制的飞索半导体，台湾DRAM教父高启全帮忙挖叻一些华亚科的人紫光又从被收购的日本尔必达公司挖了些人，还有些韩国人集中了几个国家的科研人员才这么快就有成果。
• 评论 ：铨世界每个哪个国家哪个企业敢说完全靠自己国家，公司就可以发展到顶尖人才的获取取决于薪金，环境等因素但当基础研究人才庫足够大，出成果的几率也会大很多高校导师只做技术指导，具体的研究很多都是手下的那些学生搞的不能否认别人的帮助，但更不能妄自菲薄