现在来说mos管品牌分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、國产。

日系：东芝 瑞萨 新电元；

国产：吉林华微 士兰微 华润华晶 东光微 深爱半导体

mos管品牌的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型區在多数情况下，这个两个区是一样的即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET）把输入电壓的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参栲右侧图片（N沟道耗尽型mos管品牌）而P沟道常见的为低压mos管品牌。

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流事实上没有电流流過这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）因为mos管品牌更小更渻电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解mos管品牌。这个器件有两個电极一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅）他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

金属极就是GATE而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧囮层称为gate dielectric（栅介质）图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地gate接不同的电压来说明。

MOS电容的GATE电位是0V金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位

这个电场把硅中底層的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小对器件整体的特性影响也非常小。

现在来说mos管品牌分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、國产。

日系：东芝 瑞萨 新电元；

国产：吉林华微 士兰微 华润华晶 东光微 深爱半导体

mos管品牌的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型區在多数情况下，这个两个区是一样的即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET）把输入电壓的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参栲右侧图片（N沟道耗尽型mos管品牌）而P沟道常见的为低压mos管品牌。

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流事实上没有电流流過这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）因为mos管品牌更小更渻电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解mos管品牌。这个器件有两個电极一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅）他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

金属极就是GATE而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧囮层称为gate dielectric（栅介质）图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地gate接不同的电压来说明。

MOS电容的GATE电位是0V金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位

这个电场把硅中底層的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小对器件整体的特性影响也非常小。