对掺杂半导体，随着温度升高，少数半导体载流子浓度度大增，会不会超过多数载流子？

点击联系发帖人 时间：2019-11-11 00:53

半导体载流子浓度

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温度.导体在任哬温度下,都将遵从

热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少

数载流子是相互制约着的.多数载流子主要

来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激

发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大

多数半导体载流子浓度度时,则多数载流子与少数载

流子相互复合的机会增加,将使得少数载流

子浓度減小；当升高温度,少数半导体载流子浓度度

将指数式增大,并且它与多数载流子相互复

合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.

在温度不是很高时,增加的本征半导体载流子浓度度

将远小于掺杂所提供的多数半导体载流子浓度度,因

此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基

本上就等於掺杂浓度,与温度的关系不大.

当然,在温度高到使得本征半导体载流子浓度度增大

到等于或大于多数半导体载流子浓度度时,就变成以

本征载鋶子导电为主的半导体了,即为本征

半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.

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