MOS管学习在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。4.增强型和耗尽型MOS-FET我们常用的是增强型MOS-FET增强型MOS-FET在栅极不加电压的情况下是关断的，只有当Vgs满足开通条件时才会形成导电沟道，才会导通。 耗尽型MOS-FET在栅极不加电压的情况下是开通的，只用当Vgs满足关断条件的时候导电沟道才会夹断。 5.结型和绝缘栅型场效应管1、绝缘栅型场效应管栅极容易被击穿损坏，所以在包装上绝缘栅型长效性管管脚间都是短路的或者用金属箔包裹的。而结型场效应管在包装上就无此要求。2、绝缘栅型场效应管的G、S两端的正、反向电阻值都很大近乎不导通；结型场效应管的G、S端电阻值呈PN结的正、反向阻值。可用万用表的电阻档来判断。3、绝缘栅型场效应管较常用，因为它的输入阻抗高。}

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展开全部1、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。2、原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。3、控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。扩展资料：mos管的工作原理：（1）、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管，MOS管有很多种类，也有很多作用，做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。（2）、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。（3）、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。已赞过已踩过你对这个回答的评价是？评论
收起1.工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。 2.耗尽型场效应管在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通，而且工...
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展开全部增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。通过改变有源区的掺杂浓度，控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料，可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。展开全部1、原理不同，最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。2、控制方法是不一样的。耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通，而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的 增强型NMOS，都是正电压控制的。
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这里只是记载一些基础知识，加上本人的理解~~B站上搜索模拟电子技术，郑老师的视频讲解非常清晰明了~建议先听课后看知识点呀！MOSFET全称金属-氧化物-半导体场效应三极管从载流子极性来看，分为NMOS（电子型）管和PMOS（空穴型）管两种按照导电机制的不同，MOS管又可以分为增强型和耗尽型因此MOSFET共有四种：E型NMOS管、D型NMOS管、E型PMOS管、D型PMOS管N沟道增强型MOSFET（NMOS管）V_{GS}=0时没有导电沟道，需要依靠V_{GS}的作用才能产生导电沟道的FET成为增强型FET1
结构电路和符号图11）绝缘栅极：与源极s和漏极d都不接触2）图4.1.1c，箭头方向从P（衬底）指向N（沟道），如果是PMOSFET，则箭头反向3）图中三道垂直短线代表沟道，短线未连接，说明未加适当栅极电压时源极s和漏极d之间没有导电沟道2
工作原理V_{GS} :表示栅极和衬底B之间的电压V_{DS} :表示源极s和漏极d之间的电压V_{TN} :随着V_{GS} 增加恰好出现导电沟道时的V_{TN} i_{D} :源极s和漏极d之间的电流1）V_{GS}=0 图2V_{GS}=0 ，说明g和B之间没有电场源极s和漏极d之间隔有衬底P，电阻认为非常大伴随着V_{DS}的增加，衬底P中产生的从漏极d到源极s的电流可以忽略不计认为i_{D}=0 可以讲V_{GS}=0 的情况等效为电路图（c）2）0<V_{GS}<V_{TN} 和情况1）一样，如果想知道为啥的话可以去看郑老师的视频哦！好像是说这个时候栅极g和衬底B之间的电压做的工作实在驱赶空穴因为电压比较弱聚集电子的能力没有很强所以认为没有形成导电沟道3） V_{GS}>=V_{TN} 图3如图1中的结构图b所展示的那样， SiO_2 绝缘层很薄，典型值小于 0.4\times10^{-7}m
只需要几伏的电压，就可以在衬底P中产生 10^{5}-10^{6}V/cm 数量级的电场这个电场针对衬底P，排斥空穴，吸附电子，当栅极电压 V_{GS} 达到一定数值时，这些电子就在栅极附近的P型硅表面形成一个N型薄层，即电子反型层，这个反型层实际上就构成源极和栅极之间的导电沟道栅极电压 V_{GS}越大，电子反型层越厚，沟道电阻的阻值越小，相应的 i_{D} 也会随着变大如图3中的（d）可变电阻区和饱和区的形成1）如图3中， V_{GS} 大小合适时，短时间内 i_{D} 随 V_{DS} 增加而增加，这一段可以认为时可变电阻区域2）但是随着 V_{DS} 上升，由于沟道存在电位梯度，从源极到漏极电位逐渐升高，而栅极电位沿沟道方向是相同的，因此沟道厚度是不均匀的；靠近源端厚，靠近漏端薄。即构沟道呈楔形。随着 V_{DS} 进一步上升， V_{DS} 到一定数值（例如 v_{GD}=v_{GS}-v_{DS}=V_{TN} ）时，靠近漏端反型层消失，V_{DS} 进一步上升，将形成夹断区（反型层耗尽后的耗尽区），夹断点向源极移动，如下图图4这种夹断称为预夹断，临界条件是v_{GD}=v_{GS}-v_{DS}=V_{TN} 此后随着电压 V_{DS} 增加，电流 i_{D} 不再发生变化称为饱和区3
I-V 特性曲线图5N沟道耗尽型MOSFET（NMOS管）V_{GS}=0时有导电沟道，需要依靠V_{GS}的作用是削弱导电沟道，称为耗尽型FET图6首先，栅极g是制作时就掺杂正离子的二氧化硅绝缘层，即使在 v_{GS}=0 时，由于正离子的作用，也和增强型接入正栅源电压并使 V_{GS}>V_{TN} 时相似，能在源区和漏区感应出较多的负电荷（电子），形成N沟道，将源区和漏区连通起来，如图6（a）。图6（b）是其电路符号，需要注意的是表示 沟道的部分不再是短线，表示在 V_{GS}=0 时存在导电沟道。图6中，s、g、B相连时，如图3，增大电压，发现 V_{GS} 随之增大，则导电沟道变宽降低电压，甚至电压反向（即加负电压），会导致V_{GS} 随之降低，则导电沟道变窄V_{GS} 一定时，随着d和s两端的 V_{DS } 变大，电流 i_{D} 随之变大，和增强型FET效果一一致图7P型的增强型和耗尽型分析方式一致哦有什莫问题欢迎留言或者私信哦！}